各位先進您們好 :    想請教以下兩個電路到底其差異性在哪? 1.加入Ri是否要減少Ib & Ios所產生的輸出偏移電壓? 2.加入Rf可以減少THD(Total harmonic distortion) 到底為何Rf可減少THD ?     謝謝~~

OPA的理想特性中(使用雙電源) Ri=無限大 Ib1=Ib2=0 但實際狀況並不是這樣 因為輸入的差動放大器無法完全匹配 會有或多或少的誤差    輸入偏壓電流(inpus bias current) Ib= ( |Ib1| + |Ib2| ) /2  典型值為100nA    輸入直流抵補電流 Ios=|Ib1-Ib2| 典型值為10nA     由上圖可知 Vo=Ib*R2...偏壓電流所造成的影響 ----------------------------------------------- 改善偏壓電流 若Ib1=Ib2=Ib則 Vo=Ib*[R2-R3*(1+R2/R1)] 欲使Vo=0必須 R3=R2/(1+R2/R1)=R1*R2/(R1+R2)=R1//R2 若以Ib1=Ib+Ios/2 , Ib2=Ib-Ios/2代入Vo的公式 可得到Vo=Ios*R2 代表抵補電流的影響已經比Vo=Ib1*R2小太多了 因Ib1=100nA Ios=10nA 所以第一題加入Ri及Rf是輸出偏移電壓的影響 從Ib(較大)減少為Ios(較小) 先到這!

阿信 您好 :    很高興看到您的回應... 我也曾經想過您的看法... 可是電路並非相同...我試著舉一反三推導一次 : 由以下電路(由阿信照片修改) :    假設OP 正,負端等電壓 : 則-Ib1*R3 = Vo - R2*Ib2 因選擇R2=R3 (令成R) 所以Vo = (Ib2 - Ib1)R 依照我選到的IC之Datesheet Ios (Input offset current) Ios 最大100pA = 0.1nA 所以 If Vo < 1mV then choose R < 5M Ohm 不曉得我這樣推想是否正確? 若正確...則這樣如果不加上R (R=0) 不就更好了嗎? Tim 發表人 -

Hi Smile_Lin    信版大舉的例子是反向放大器,因輸出放大比例須由電阻來調整,故須考慮Ri和Rf的匹配程度!    您推論的非反向放大器的結論也沒錯,但當實際應用須加入Ri來減少傳輸造成之高頻雜訊干擾(Ri 和 OP-AMP 的 Ci構成之 LBF)時,Rf就有其必要性!    且Rf和輸出入電容迴路造成OP-AMP 閉迴路工作頻寬降低,也就是可已改善THD 的原因了!    Run 一下同一型號的OP-AMP模擬,讓Rf=0 變化到數百K OHM 的瀕率響應結果就可驗證喽!

Hi ssejack :    您好~ 非常感謝您的解說... 我會去做這樣的實驗來驗證的 ^_^! 不曉得您是否能推薦哪幾本書 or網站可以增加此方面知識呢? 也非常感謝阿信 版大的回函...    Bset regards Tim